Publicado tutorial sobre projeto de circuitos integrados em ultra-baixa tensão

Saiu em maio de 2022, na edição especial sobre circuitos integrados analógicos e mistos da revista Journal of Integrated Circuits and Systems, um artigo escrito pelos docentes do PPGEE Alessandro Girardi, Lucas Severo e Paulo César Aguirre.

O artigo “Design Techniques for Ultra-Low Voltage Analog Circuits Using CMOS Characteristic Curves: a practical tutorial” apresenta um tutorial sobre técnicas de projeto de circuitos integrados analógicos em ultra-baixa tensão. Estas técnicas podem ser usadas para projetar circuitos para Internet das Coisas (IoT), nos quais o baixo consumo de potência é um requisito fundamental. Muitas aplicações IoT são alimentadas por energia coletada do próprio ambiente, como energia luminosa ou de vibração, e é mais eficiente para o circuito operar em um nível de tensão perto dos gerados pelos sistemas de colheita (entre 0.3 e 0.6 V). Para isso, é necessário aplicar técnicas de projeto que aproveitem características específicas dos dispositivos (transistores MOSFET), como efeito de canal curto reverso, alimentação pelo substrato ou polarização direta do substrato. Transistores de baixa tensão de limiar também são explorados. O artigo apresenta um cenário amplo sobre técnicas de projeto em ultra-baixa tensão do ponto de vista do projetista, incluindo detalhes e estratégias de tomada de decisão.