Código: AL5003
Obrigatória: não
Carga-horária: 60h
Créditos: 4
Ementa:
Introdução à física de semicondutores. Estruturas elementares dos semicondutores. Transistores de efeito de campo (FET): JFET e MOSFET. Transistor bipolar de junção (BJT). Modelagem elétrica CC, CA, transiente e ruído. Simulação elétrica SPICE. Dispositivos semicondutores de potência: diodo, SCR, TRIAC, MOSFET, IGBT. Dispositivos de alta frequência: MESFET, HBT, HEMT. Novos dispositivos
Bibliografia:
- LINDER, S. Power Semiconductors. [s.l.]: EFPL Press, 2006.
- BENDA, V.; GRANT, D. A. ; GOWAR, J. Power Semiconductor Devices: Theory and Applications, Wiley, 1999.
- TSIVIDIS, Y. Operation and modeling of the MOS transistor. 2. ed. [s.l.]: Oxford, 1999.
- SEDRA, A.S.; SMITH, C. Microeletrônica. 4. ed. [s.l.]: Makron Books, 1999.
- ERICKSON, R.W. MAKSIMOVIC, D. Fundamentals of Power Electronics. 2. ed. [s.l.]: Springer, 2001.
- RAZAVI, B. RF Microelectronics. [s.l]: Prentice Hall, 1998.
- LUDWIG, R. RF Circuit Design – Theory and Applications. 2. ed. [s.l]: Pearson, 2009.
- Artigos científicos das revistas: IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE Electron Device Letters, IET Circuits, Devices and Systems.